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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
总分
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.4
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
29
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
24
读取速度,GB/s
12.8
13.7
写入速度,GB/s
9.4
6.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2282
2046
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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