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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
77
左右 -166% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
29
读取速度,GB/s
2,936.9
18.0
写入速度,GB/s
1,884.0
14.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3638
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
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