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Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
27
读取速度,GB/s
14.2
15.6
写入速度,GB/s
9.1
13.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2964
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
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