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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
总分
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
差异
规格
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Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
44
左右 -120% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
20
读取速度,GB/s
12.6
19.7
写入速度,GB/s
8.6
14.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2193
3400
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
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