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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
44
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
22
读取速度,GB/s
12.6
16.8
写入速度,GB/s
8.6
13.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2193
3097
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
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