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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
总分
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
差异
规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
44
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
32
读取速度,GB/s
12.6
16.6
写入速度,GB/s
8.6
13.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2193
3049
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB RAM的比较
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Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB RAM的比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology C 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
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