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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Kingston KVR26N19D8/16 16GB
总分
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
总分
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
54
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
7.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
54
读取速度,GB/s
12.6
7.6
写入速度,GB/s
8.6
7.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2193
1611
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
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