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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
比较
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
11.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
15.9
16.7
写入速度,GB/s
11.1
11.6
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2855
3133
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
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