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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
16.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
52
左右 -86% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
28
读取速度,GB/s
4,837.1
21.4
写入速度,GB/s
2,027.0
16.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
3739
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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