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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 -93% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
27
读取速度,GB/s
4,837.1
19.1
写入速度,GB/s
2,027.0
14.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
3040
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
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V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
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