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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
13.9
19.8
写入速度,GB/s
8.6
16.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
4012
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
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