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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
22.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
52
左右 -63% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
32
读取速度,GB/s
4,837.1
22.6
写入速度,GB/s
2,027.0
16.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
3837
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
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