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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Kingston 9905702-071.A00G 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
52
左右 -53% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
34
读取速度,GB/s
4,837.1
16.2
写入速度,GB/s
2,027.0
11.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
2934
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
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