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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
比较
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Kingston KHX21334D4/8G 8GB
总分
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
总分
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
6.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
14200
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
13.9
11.2
写入速度,GB/s
9.6
6.2
内存带宽,mbps
14200
17000
Other
描述
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2558
1914
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB RAM的比较
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Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
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