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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
52
左右 -13% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
46
读取速度,GB/s
4,837.1
16.0
写入速度,GB/s
2,027.0
12.4
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
2660
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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