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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
52
左右 -63% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
32
读取速度,GB/s
4,837.1
16.8
写入速度,GB/s
2,027.0
12.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
2641
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
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