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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
52
左右 -68% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
31
读取速度,GB/s
4,837.1
17.9
写入速度,GB/s
2,027.0
14.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
3444
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
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