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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
66
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.5
2,135.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
66
读取速度,GB/s
5,021.4
16.7
写入速度,GB/s
2,135.0
8.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
1912
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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