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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
69
左右 -41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
49
读取速度,GB/s
3,325.1
10.9
写入速度,GB/s
1,441.2
8.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2413
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
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