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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
13
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
2,135.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
5,021.4
13.0
写入速度,GB/s
2,135.0
9.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2586
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
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