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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
51
左右 -59% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
32
读取速度,GB/s
5,021.4
15.2
写入速度,GB/s
2,135.0
10.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2918
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
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