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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
比较
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
总分
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
差异
规格
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
37
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
24
读取速度,GB/s
12.0
15.1
写入速度,GB/s
7.5
10.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
2601
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
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