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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
19.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
16.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
51
左右 -76% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
29
读取速度,GB/s
5,021.4
19.3
写入速度,GB/s
2,135.0
16.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3914
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
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