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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
51
左右 -76% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
29
读取速度,GB/s
5,021.4
16.2
写入速度,GB/s
2,135.0
13.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3221
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
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Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
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