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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
51
左右 -59% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
32
读取速度,GB/s
5,021.4
17.4
写入速度,GB/s
2,135.0
14.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3385
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
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