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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
104
左右 -259% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
29
读取速度,GB/s
3,192.0
17.5
写入速度,GB/s
2,404.5
14.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3434
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB RAM的比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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