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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
71
左右 -173% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.1
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
26
读取速度,GB/s
2,831.6
17.2
写入速度,GB/s
1,322.6
17.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
3757
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
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Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
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