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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
11.4
14.2
写入速度,GB/s
7.4
11.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2933
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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