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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
比较
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
总分
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
77
左右 51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
5.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
77
读取速度,GB/s
14.7
13.1
写入速度,GB/s
9.1
5.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2496
1440
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB RAM的比较
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
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