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AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
56
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
36
读取速度,GB/s
7.4
15.7
写入速度,GB/s
5.6
12.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
3035
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
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