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PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
69
左右 61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
69
读取速度,GB/s
13.8
15.7
写入速度,GB/s
8.4
7.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1831
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
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