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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Kingston 9965669-005.A01G 16GB
总分
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
总分
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
68
左右 56% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
6.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
68
读取速度,GB/s
9.8
16.5
写入速度,GB/s
6.4
9.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1927
2084
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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