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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

总分
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

总分
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Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB 需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB 需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 33
    左右 -18% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.8 left arrow 8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.4 left arrow 7.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    33 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    8.0 left arrow 15.8
  • 写入速度，GB/s
    7.3 left arrow 13.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1911 left arrow 2640

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM的比较

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Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
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内存RAM
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G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
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内存RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
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内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
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