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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
比较
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
总分
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
56
66
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.9
2,475.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8800
左右 2.18 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
66
读取速度,GB/s
4,878.3
15.9
写入速度,GB/s
2,475.5
7.9
内存带宽,mbps
8800
19200
Other
描述
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
598
1877
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
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