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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
5,021.4
17.6
写入速度,GB/s
2,135.0
13.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3336
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
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