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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
870.4
6.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
87
左右 -129% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.3
3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
38
读取速度,GB/s
3,155.6
9.3
写入速度,GB/s
870.4
6.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2107
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
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Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
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