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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
47
左右 -124% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
21
读取速度,GB/s
10.4
18.5
写入速度,GB/s
7.8
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2930
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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