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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
18.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
51
左右 -89% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
27
读取速度,GB/s
5,021.4
18.9
写入速度,GB/s
2,135.0
14.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3418
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
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