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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
10.2
18.2
写入速度,GB/s
8.1
14.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2830
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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