RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
49
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
23
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2830
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link