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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
51
左右 -96% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
26
读取速度,GB/s
5,021.4
17.4
写入速度,GB/s
2,135.0
11.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2806
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
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