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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
58
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.7
5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
2,135.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
58
读取速度,GB/s
5,021.4
9.7
写入速度,GB/s
2,135.0
7.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2172
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
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Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
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