RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
58
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.7
5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
2,135.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
58
Prędkość odczytu, GB/s
5,021.4
9.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,135.0
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
2172
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link