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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
51
左右 -65% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
31
读取速度,GB/s
5,021.4
11.9
写入速度,GB/s
2,135.0
10.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2585
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
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