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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
51
左右 -42% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
36
读取速度,GB/s
5,021.4
14.8
写入速度,GB/s
2,135.0
10.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
2515
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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