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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
比较
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
总分
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
总分
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
差异
规格
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差异
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
28
读取速度,GB/s
14.3
17.6
写入速度,GB/s
10.1
15.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2227
3705
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM的比较
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Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
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