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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
比较
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
总分
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
29
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
24
读取速度,GB/s
14.3
17.0
写入速度,GB/s
10.1
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2227
3230
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
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