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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
比较
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
总分
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
差异
规格
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
28
读取速度,GB/s
14.3
17.1
写入速度,GB/s
10.1
13.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2227
3082
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
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OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
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