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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
比较
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
总分
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 -7% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.9
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
27
读取速度,GB/s
14.3
13.9
写入速度,GB/s
10.1
10.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2227
2755
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-018.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
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