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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
比较
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
总分
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
30
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
30
读取速度,GB/s
14.3
18.4
写入速度,GB/s
10.1
13.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2227
3277
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
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